Intel 300mm 異質整合矽光子技術進展:揭開下一代光子平台的面紗 OFC2025
- drshawnchang
- 10小时前
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在OFC2025會議中,Intel 公開展示其 300mm 異質整合矽光子平台的最新進展,從核心元件的升級到平台應用的拓展,全面展現其在資料中心與 AI 高速傳輸領域的技術實力。本文將帶你深入了解這場演講的重點。
🎯 技術應用場景
Intel 的矽光子平台聚焦於三大應用方向:
Pluggable 光收發模組
自 2016 年以來已出貨超過 800 萬顆模組。
強調 hot-swappable 與標準化設計,是資料中心光連結的主力。
Co-Packaged Optics (CPO)
與傳統 pluggable 相比,CPO 提供更低功耗、更高埠密度與更低延遲。
2021 年首次展示與乙太網路交換器共封裝的完整光引擎。
Optical Compute Interconnect (OCI)
為滿足 CPU、GPU 與 AI 計算的高速需求,提供 Terabits/s 等級的晶片間光互連。
🧩 Gen 2 平台特色:效能再進化
Intel 第二代矽光子平台持續以 CMOS 為基礎,實現以下升級:
雷射功率提升 50%(III-V 材料異質整合)
200G/lambda 等級調變器(支援 traveling wave 與 ring 結構)
全套被動元件庫(包含低損耗波導、分光器、耦合器)
🔬 關鍵元件亮點
🔦 雷射與放大器(SOA)
異質整合 III-V 材料於 Si 上。
在 80°C 下達到 13% wall-plug 效率。
SOA 提供 >10 dB 增益、15 dBm 飽和功率、<8 dB 雜訊指數。

🌀 調變器
16Ω Traveling Wave Modulator:>67 GHz 帶寬,支援 DSP 駕動。
90Ω 版本:低功耗與高消光比,適用於無 driver 架構。
Ring Modulator:<1.45 V·cm 相位效率,200G PAM4 測試已驗證。


🌉 被動元件
單模波導損耗:0.2 dB/cm,多模:0.6 dB/cm。
MMI、交叉結構損耗低至 0.06 dB。
支援各式耦合器(低NA、高NA、V-Groove),並正在開發矽氮化物版本。

🛠️ 設計工具與自動化
建立於 Cadence 的設計平台,支援:
schematic capture
layout 轉換
Pcell 自定義
提供完整設計流程的自動化支持,加速設計到製造流程。

🧾 結語:邁向更高整合、更低功耗的 AI 世代光互連
Intel 的 300mm 異質整合矽光子平台已邁入第二世代,進一步提升了雷射功率、調變速度與元件整合度,為資料中心與 AI 應用的高速光連結鋪平道路。隨著 OCI 與 CPO 架構的推進,這類高度整合的平台將在新世代運算架構中扮演關鍵角色。

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